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基于IGZO沟道的TFT存储器仿真特性之软件工程研究 感受幸福的开头与结尾怎么写

2019-06-08 08:22作者:admin

基于IGZO沟道的TFT存储器仿真特性之软件工程研究 感受幸福的开头与结尾怎么写

3基于Silvaco的器件仿真特性研究................................仿真环境...................................器件仿真及结果.............................本章小结.....................................324IGZO沟道迁移率模型..........................引言...............................模型建立.......................................模拟结果及分析............................415迁移率修正与器件仿真..................................迁移率校正...............................器件仿真...................................475迁移率修正与器件仿真迁移率校正上两个章节中,分别进行了基于Silvaco软件的器件的仿真以及沟道迁移率的建模。

用Silvaco软件进行仿真的过程中,没有考虑到一些潜在因素对迁移率的影响,而事实上,往往这些散射因素对于迁移率的影响是不能忽视的。

第四章主要将部分潜在因素考虑进来,从理论上探讨了这些因素对于沟道载流子迁移率的影响规律。

本章旨在将两章的内容结合起来,在考虑一些结构因素对沟道载流子迁移率产生影响的前提下,对存储器的电学性能进行进一步探究。 ...........................6总结与展望全文总结伴随着人类视觉审美的提高,显示技术的突破志在必行。 TFT存储器的出现使得显示模块和存储模块合二为一的设想变为现实,它的出现使得显示器能够在面板尺寸、分辨率、功耗等一些方面迎来重大突破。 相信在未来很长一段时间里,它依旧是科研人员在显示领域的一大关注点。

本文从理论方面着手,灵活运用了一些专业相关软件对课题展开探讨。

纵观全文,主要在两个方面展开了较为深入的研究:一方面是利用Silvaco软件进行电学性能的仿真,主要考虑了器件的结构以及一些基本的几个参数对于器件性能的影响;另一方面则是从基本的电子输运方程入手,建立存储器的沟道载流子迁移率模型,考虑了一系列结构参数对于沟道载流子的散射作用。 主要的工作和结论如下:⑴利用Silvaco软件对TFT存储器单元进行了电学性能的仿真,主要考虑了器件的底栅、顶栅、双栅三种结构以及存储层材料、存储层厚度、隧穿层材料、隧穿层厚度、沟道长度、编程电压这几大因素对于存储器电学性能的影响。 仿真结果表明:底栅结构相对而言制备工艺成熟,拥有良好的电学特性,并且对光照有着较好的稳定性,所以在TFT存储器的选择上,背栅结构是首选;在存储层材料的选择上,以ZnO最为存储层得到的存储窗口最大,相应的浮栅中的电荷量也最大;在存储层厚度的选择上,适当增大厚度有助于存储窗口的增大。

厚度过大不利于整个器件尺寸的减小,同时还会一定程度的造成存储层中缺陷数量的增多,厚度过小则存储窗口过小,甚至可能达不到存储电荷的目的;隧穿层的选择上,以Al2O3作为隧穿层的器件的存储窗口最大,对于编程/擦除电压的响应也最快;隧穿层厚度的选择上,适当减小厚度有助于隧穿电流密度的增大,但是过小则会有电荷发生泄漏的可能性;沟道长度的选择上,一大要点是确保合适的宽长比。

沟道长度选的过大会造成存储窗口偏小,难以达到存储器对于存储窗口的要求;在编程过程中,编程电压的选择也很重要。 在一定范围内增大编程电压能够增大存储器的存储窗口,但是过大也会造成浮栅电荷从存储层到阻挡层的隧穿,从而产生存储电荷的泄漏,会适得其反。

参考文献(略)。

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